DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

概要

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本研究では、DERI(Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation)法をInGaN混晶成長に適用し、InGaN系多重量子井戸構造の作製に成功した。DERI法によるInGaN成長では、メタルリッチ成長時にGaが優先的にNと結合し、余剰のInがドロップレットとして表面に析出する。この状態でNラジカルのみを供給した場合には、InドロップレットはInN膜へと変換され、このプロセスを繰り返すことによりInN/In_<0.7>Ga_<0.3>Nの多重量子井戸構造の作製を行った。一方、プラズマパワーを変化させたNラジカルをGaと同時に供給するプロセスの繰り返しにより、In_<0.2>Ga_<0.8>N/In_<0.3>Ga_<0.7>N多重量子井戸構造を得ることに成功した。これらの構造からは、TEM、XRDによる明瞭な周期構造が確認され、また赤外および緑色領域からのPL発光も得られた。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2012-11-22