山口 智広 | 工学院大学大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 山口 智広

  工学院大学工学部情報通信工学

• 山口 智広

  工学院大学大学院工学研究科

• 荒木 努

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学理工学部

• 荒木 努

  立命館大学理工学部

• 名西 博之

  立命館大学理工学部

• 山口 智広

  立命館大学r-giro推進機構

• 荒木 努

  立命館大学理工学部電子光情報工学科

• 名西 [ヤス]之

  立命館大学

• 本田 徹

  工学院大学大学院工学研究科

• 杉浦 洋平

  工学院大学大学院工学研究科

• 網谷 良介

  工学院大学大学院工学研究科

• 多次見 大樹

  工学院大学大学院工学研究科

• 尾沼 猛儀

  工学院大学大学院工学研究科

• 阪口 順一

  立命館大学理工学部

• 王 科

  立命館大学R-GIRO

• 上松 尚

  立命館大学理工学部

• Yoon Euijoon

  ソウル国立大学WCUプログラム

• 尾沼 猛儀

  工学院大学大学院工学研究科:東京工業高等専門学校

• 名西 [ヤス]之

  立命館大学理工学部

• 名西 之

  立命館大学理工学部

• 山口 智広

  工学院大学工学部

• 名西 [ヤス]之

  立命館大学R-GIRO:ソウル国立大学WCUプログラム

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著作論文

• MBE法による配列制御InNナノコラム成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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