GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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六方晶(0001)GaN(Ga面)の表面フェルミ準位変化について、X線光電子分光法(XPS)を用い、表面酸化物量と関連づけて推定した。はじめに、基本的な角度分解XPS法(ARXPS)による価電子帯付近の束縛エネルギーピークの角度依存性について検証し、定性的な理解が一致することを確認した。その後、表面付近の空乏層電界を角度分解XPSによって観測する方法について言及し、電界方向およびその相対的な大きさについて議論した。表面酸化物の存在により、表面空乏層電界強度が増加する傾向にあり、GaN結晶の表面フェルミ準位は表面酸化により価電子帯側方向に変化することがわかった。
- 2012-11-22
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
山口 智広
工学院大学工学部情報通信工学
-
杉浦 洋平
工学院大学大学院工学研究科
-
網谷 良介
工学院大学大学院工学研究科
-
多次見 大樹
工学院大学大学院工学研究科
-
尾沼 猛儀
工学院大学大学院工学研究科
-
山口 智広
工学院大学大学院工学研究科
-
尾沼 猛儀
工学院大学大学院工学研究科:東京工業高等専門学校
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