化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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化合物原料分子線エピタキシー(CS-MBE)法を用いて(111)Si, (0001)6H-SiC上にAlNの低温堆積を行った.X線光電子分光法(XPS)の測定結果より, Al及びNが薄膜中に含まれていることが分かった.カソードルミネッセンス(CL)測定を室温で行った結果, ディープレベルの発光を観測した.また, エレクトロルミネッセントデバイス(ELDs)への応用を目指しCS-MBE法によるGaN/AlNヘテロ積層構造の製作を行った.GaN/AlNヘテロ積層構造の製作には, 薄膜堆積後に基板温度を保持した基板保温とAlN薄膜上への室温GaNバッファ層が有効であることを加えて報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-07
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
杉本 浩一
工学院大学工学部電子工学科
-
小林 俊章
工学院大学工学部電子工学科
-
川西 英雄
工学院大学電子工学科
-
江川 慎一
工学院大学工学部電子工学科
-
馬場 太一
工学院大学工学部電子工学科
-
平山 航史
工学院大学工学部電子工学科
-
秋山 誠和子
工学院大学工学部電子工学科
-
川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
-
本田 徹
工学院大学
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