GaN系青色・紫外面発光レーザの基礎設計
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概要
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GaNおよびその混晶系は、ハンドギャップが赤色から紫外光に対応し、直接遷移型であることから、短波長発光材料として注目されている。また、青色から紫外にかけての発光を持つ面発光レーザは、高密度光記録、フォトリソグラフィー、レーザプリンターの画質向上、高速化において重要となる半導体レーザの形式である。本発表では、GaNを活性層とする面発光レーザを実現するために、必要な光学利得を見積もるとともに、短波長面発光レーザの構造設計と、しきい値電流密度について検討した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
本田 徹
東京工業大学精密工学研究所,工学部
-
勝部 敦史
東京工業大学精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学 精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学
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