中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
空気をコアとする中空導波路は低温度依存性を持ち,そのコアの厚みを変化させることで巨大な実効屈折率の可変特性を実現することが可能である.中空ブラッグ反射鏡をハイブリッドに集積した中空導波路DBRレーザは,波長可変特性と低温度依存性を両立することが期待される.今回,単一波長選択条件とモードホップブリーなアサーマル条件を考察した.試作した中空導波路DBRレーザでは,単一波長が選択され,SMSR 38dB,縦モード間隔0.63nm内に波長がロックされるアサーマル特性が得られた.
- 2011-06-23
著者
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
山川 英明
東京工業大学精密工学研究所フォトニック集積システム研究センター
-
徳永 義久
東京工業大学精密工学研究所フォトニック集積システム研究センター
-
坂口 孝浩
東京工業大学 精密工学研究所
-
山川 英明
東京工業大学精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学
-
山川 英明
東京工業大学
関連論文
- CLEO/IQEC '98報告
- C-4-30 二つのVCSELメサを用いた受動モード同期レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 VCSELを用いた小型アクティブモード同期レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-10 VCSELと凹面鏡を用いた31GHzアクティブモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-28 凹面鏡による二重共振経路を用いたモード同期VCSEL(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 凹面鏡を用いた複合共振器VCSELによる10GHzモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-34 凹面鏡とVCSELを用いた二往復共振器モード同期レーザにおける位置ずれトレランス解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- AlAs選択酸化膜形成技術
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- 面発光レーザーの研究開発と進展
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価(紫外発光材料の現状と将来)
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- マイクロオプティカルベンチによる2次元並列光インタコネクトモジュール構成法
- 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光デバイスへの応用
- 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
- 面発光レーザの進展 (特集 光エレクトロニクスの現状と将来)
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-8 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル動作の基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-19 ICPエッチングによる低しきい値半導体/空気DBR短共振器レーザ
- C-4-53 ASE 光変調を用いた光前置増幅器の構造最適化
- 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
- C-4-7 半導体光増幅器のASE光変換を用いた前置増幅器の動特性評価
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- CLEO/QELS 2000報告
- C-3-67 横方向結合を用いた面発光レーザとスローライト光デバイス集積化の検討II(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 「半導体面発光レーザーの現状」特集号に寄せて
- C-4-20 高屈折率差サブ波長回折格子を用いた多波長面発光レーザの波長域拡大の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-27 スローライト光導波路における挿入損失の偏光依存性(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎設計
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 高分子導波路内での回折効果を利用した1×N光分岐素子
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
- C-3-4 中空導波路ミラーの巨大波長可変特性(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- CS-4-3 中空光導波路を用いた広帯域・波長可変光デバイス(CS-4.広帯域・波長可変光デバイスの最新動向とその応用,シンポジウム)
- C-3-86 誘電体反射鏡を用いた中空光導波路の伝搬損失測定
- 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
- 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
- 中空光導波路の製作とその光回路への応用 : 中空光導波路とマイクロマシンを融合した光波制御素子の提案
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- GaN系青色面発光レーザ構造の形成に関する基礎検討
- C-4-22 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 中空導波路集積型波長可変レーザの単一波長選択性の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 凹面鏡を用いた二往復共振器受動モード同期VCSELの動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- GaN系青色・紫外面発光レーザの基礎設計
- GaN系面発光レーザ用多層膜反射鏡の基礎的検討
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 中空導波路DBRレーザの単一波長選択性とアサーマル化の検討(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 2次元光閉じ込め構造を用いた中空導波路DBRレーザのアサーマル特性と狭線幅特性の検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)