GaN系青色面発光レーザ構造の形成に関する基礎検討
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概要
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GaN系青色面発光レーザに必要な量子井戸,高反射率の多層膜反射鏡,電流狭窄構造などの設計・製作を行った.有機金属気相成長法(MOVPE)により成長したGaInN量子井戸活性層を,多層膜反射鏡により挟んだ面発光レーザ構造を製作し,光励起により共振モードを確認した.さらに,GaNの横方向成長により,高反射率の誘電体多層膜反射鏡をGaN中に埋め込む新しい構造を提案し,GaN系面発光レーザで問題とされている反射鏡形成とGaN膜の高品質化を同時に実現可能な構造の新しい製作方法について検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-06-23
著者
-
井上 彰
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
岩田 雅年
東京工業大学精密工学研究所
-
内田 慶彦
東京工業大学精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学 精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学
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