GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
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概要
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レーザの変調特性や温度特性向上を目的に, 活性層に隣接した共鳴トンネルを有する, トンネル注入レーザ構造が提案されている.しかし, レーザ特性のトンネル注入構造依存性について十分に解明されていない.本報告では, GaInAs/AlGaAs単一量子井戸トンネル注入レーザの静特性について, トンネル注入構造依存性の検討を行った.トンネル注入層とトンネルバリア層の厚さにより, I-L特性の大きなキンクや, しきい値増加を生じることが分かった.また, トンネルバリア層のAl組成を低減することで, キンクの低減とともにしきい値増加が抑制された.トンネル注入構造を用いた構造により, 164Kと高い特性温度が得られた.本報告で得られた設計指針は, 高性能レーザ実現に重要な役割を担うと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-17
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
松浦 哲也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
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