古旗 達也 | 東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
松浦 哲也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
著作論文
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)