GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAs基板上で1.3-1.6μm発光する材料は,長距離光通信用面発光レーザの実現に重要である.本研究では,GaAs基板上のGaInAs量子ドットへSbを漆加することで,長波長発光および発光効率の高い量子ドットの実現の可能性を探索した.Sbをドットそのものに漆加するとドットの形成が抑制された.これは高歪量子井戸成長に見られるSbのサーファクタント効果に基づく.量子ドットのカバー層をGaInAsSbとした場合,PLの大幅な長波長化と発光効率の向上が観測された.本現象は量子ドットの長波長レーザへの適用の可能性を示すものである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
松浦 哲也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
関連論文
- 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/IQEC '98報告
- C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)