GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
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概要
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高歪GaInAs/GaAs量井戸構造を用いて, 従来の光半導体材料の欠損波長域である波長1.0〜1.2μm帯の材料開拓を行い, 温度特性に優れた半導体レーザの実現とワット級高出力発光素子の可能性を探求した.GaInAs/GaAs歪量子井戸の高歪化により, GaAs基板上で発振波長を1.2μmまで長波長化した高歪量子井戸レーザを実現した.特性温度140K以上の優れた温度特性を示すとともに, 発振波長はこの系では最長の1.25μmに達した.また, このレーザを用いて, 5km・2Gb/sの単一モード光ファイバ伝送実験を行い, 波長1.2μm帯での温度特性に優れたGaInAs/GaAs系レーザ(あるいは面発光レーザ)による高速光データリンクの可能性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-19
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
陳 誌標
東京工業大学精密工学研究所
-
シュレンカー ディトマー
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学
-
シュレンカー ディトマー
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
陳 誌標
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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