(311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
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概要
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傾斜基板上に成長した面発光レーザは偏波制御が可能である.今回, 我々はGaAs(311)B基板上に面発光レーザアレーを製作し, その発振特性と高速変調特性について検討を行った.選択酸化プロセスの均一性, 制御性の改善を行い, 傾斜基板上完全単一モード面発光レーザアレーを実現した.また5Gbpsまでの直接変調をかけたときの直交偏波抑圧比を調べた.さらに雑音特性の検討, 2.5Gbpsの伝送実験を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-14
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
品田 聡
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
安土 宗近
東京工業大学・マイクロシステム研究センター
-
伊賀 健一
東工大精研
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
安土 宗近
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
松谷 晃宏
東京工業大学
-
西山 伸彦
東京工業大学
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