垂直多重反射鏡を有する短共振器半導体レーザ
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概要
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我々は,モノリシック形成の可能な垂直多重反射鏡をもつ短共振器半導体レーザを提案・研究してきた.今回は電子ビーム描画法と反応性イオンビームエッチングを用いることで,1.55μm帯GaInAsP/InPデバイスを試作した.そして室温パルス電流注入でレーザ発振を得た.測定された特性と理論解析結果の比較より,実験で得られた反射鏡の反射率は最高で60%と見積もられた.極めて平滑な理想的反射面を仮定すると,たかだか3ぺアの反射鏡で97%の高反射率が得られると理論的に予測される.極限的には共振器長を10μmより短くしても100μAを下回るしきい値で発振を得ることができる.この性能はエッチング側壁の粗さを除去し,反射鏡の反射率を改善することにより可能となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-02-15
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
馬場 俊彦
横浜国立大学電子情報工学科
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
-
馬場 俊彦
横浜国立大学
-
浜崎 元司
横浜国大・工
-
カエプラング パス
横浜国大・工
-
浜崎 元司
横浜国立大学・工学部電子情報工学科
-
パス カエプラング
横浜国立大学・工学部電子情報工学科
-
馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
-
松谷 晃宏
東京工業大学
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