C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
品田 聡
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
松谷 晃宏
東京工業大学
-
西山 伸彦
東京工業大学
関連論文
- 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/QELS'99報告
- C-4-30 二つのVCSELメサを用いた受動モード同期レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 VCSELを用いた小型アクティブモード同期レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-10 VCSELと凹面鏡を用いた31GHzアクティブモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-28 凹面鏡による二重共振経路を用いたモード同期VCSEL(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-88 小コア光導波路によるLSI間高密度光接続の研究(光インターコネクション(2)・ファイバグレーティング,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 凹面鏡を用いた複合共振器VCSELによる10GHzモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-34 凹面鏡とVCSELを用いた二往復共振器モード同期レーザにおける位置ずれトレランス解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- AlAs選択酸化膜形成技術
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
- 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
- MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-3-69 多波長面発光レーザアレイと集積可能な小型光合波器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-27 スローライト光導波路における挿入損失の偏光依存性(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 稿転送速度, 高記録密度光ディスクヘッドの研究
- 近接場光学応用テラバイト光ディスクの基礎研究(I) : 超微細光ビーム用光源の研究
- SC-6-4 面発光レーザの多波長集積化技術
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 高分子導波路内での回折効果を利用した1×N光分岐素子
- CS-4-3 中空光導波路を用いた広帯域・波長可変光デバイス(CS-4.広帯域・波長可変光デバイスの最新動向とその応用,シンポジウム)
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 面発光レーザーによる近接場光生成
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レｰザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 極微開口部を有する半導体微小光分岐回路
- C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 大容量光ストレージのための面発半導体レーザ
- 垂直多重反射鏡を有する短共振器半導体レーザ
- C-3-23 中空光導波路による凹面回折格子型光分波回路
- ヴァイオリン演奏時の把持力推定に関する研究
- ストックホルムの音楽博物館(音の博物館)
- C-3-100 レンズ集積による面発光レーザ出力ビームの集束(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
- C-4-12 凹面鏡を用いた二往復共振器受動モード同期VCSELの動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-41 スローライトを利用した交差角30度の小型光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 固体ソースドライエッチング
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-43 スローライトを利用した小型光スイッチの動特性評価(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)