GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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GaN系面発光レーザのしきい値電流密度をバンド内緩和時間を考慮した密度行列法に従い, 見積もった。この結果, 共振器損失の大きい面発光レーザにおいては, 活性層に量子井戸構造を用いると共に, 高反射率反射鏡の導入が低しきい値動作には特に有効であることを示した。また, GaN系面発光レーザのための極微細加工技術, 基板の検討についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
井上 彰
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
白澤 智恵
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
川西 英雄
工学院大学電子工学科
-
川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
-
持田 宣晃
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
-
坂口 孝浩
東京工業大学 精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学
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