本田 徹 | 工学院大学工学部

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概要

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• 本田 徹

  工学院大学工学部

• 本田 徹

  工学院大学大学院工学研究科

• 本田 徹

  工学院大学

• 川西 英雄

  工学院大学電子工学科

• 川西 英雄

  工学院大 工

• 川西 英雄

  工学院大学・工学部

• 江川 慎一

  工学院大学工学部電子工学科

• 馬場 太一

  工学院大学工学部電子工学科

• 小林 俊章

  工学院大学工学部電子工学科

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 杉本 浩一

  工学院大学工学部電子工学科

• 坂口 孝浩

  東京工業大学精密工学研究所

• 小宮山 重利

  工学院大学工学部

• 増山 佳宏

  工学院大学工学部

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 秋山 誠和子

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 長谷川 文夫

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学 工学部 電子工学科

• 坂口 孝浩

  東京工業大学 精密工学研究所

• 坂口 孝浩

  東京工業大学

• 本田 徹

  東京工業大学精密工学研究所,工学部

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 澤田 勝

  工学院大学工学部電子工学科

• 新井 雅俊

  工学院大学工学部電子工学科

• 井上 彰

  東京工業大学精密工学研究所

• 渡邊 謙二

  工学院大学工学部

• 白澤 智恵

  東京工業大学精密工学研究所

• 平山 航史

  工学院大学工学部電子工学科

• 蓮沼 範行

  工学院大学工学部電子工学科

• 青木 陽太

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 持田 宣晃

  東京工業大学精密工学研究所

• 勝部 敦史

  東京工業大学精密工学研究所

• 森 美由紀

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 伊賀 健一

  工学院大学電子工学科

• 栗本 誠

  工学院大学工学部電子工学科

• 鍔本 美恵子

  工学院大学工学部電子工学科

• 久我 裕一郎

  工学院大学工学部電子工学科

• 五月女 耕二

  東京工業大学精密工学研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 柊元 宏

  東工大・工

• 柊元 宏

  東京工業大学工学部

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学・工学部

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 柊 元宏

  東工大工

• 勝部 敦史

  東京工業大学精密工学研究所,工学部

• 井上 浩介

  東京工業大学精密工学研究所,工学部

• 井上 浩介

  東京工業大学精密工学研究所 工学部

• 松谷 晃宏

  東京工業大学

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著作論文

• GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• CS-MBE法によるGaN薄膜の製作とカソードルミネッセンス(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎設計
• 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• BGaN系紫外レーザの基礎検討
• BGaN系紫外レーザの基礎検討
• GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
• GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
• GaN系青色・紫外面発光レーザの基礎設計
• GaN系面発光レーザ用多層膜反射鏡の基礎的検討

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