BGaN系紫外レーザの基礎検討
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概要
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BGaNは, (0001)6H-SiCと格子整合することが予測されているワイドギャップ化合物である.(0001)6H-SiCと格子整合するBGaNについて光学利得を見積もり, 半導体レーザの可能性を検討した.計算に用いた有効質量及びバンドギャップなどのパラメータはハリソンの方法により求めたものを用いた.光学利得はバンド内緩和を考慮した密度行列法により推測した.BGaNの透明キャリア密度はGaNと比較して若干低くなった.この結果よりBGaN系紫外半導体レーザの製作は可能であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
川西 英雄
工学院大学電子工学科
-
川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
-
栗本 誠
工学院大学工学部電子工学科
-
鍔本 美恵子
工学院大学工学部電子工学科
-
久我 裕一郎
工学院大学工学部電子工学科
-
本田 徹
工学院大学
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