AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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AlGaN窒化物半導体は、紫外から深紫外域で発光する光デバイス実現に適合するワイドギャップ半導体である。このAlGaN半導体は、その価電子帯のバンド構造に由来して放射光が光学異方性を示し、光デバイスの動作特性に影響を与える。ここでは、これまで実現した深紫外域までのレーザ発振特性及び、我々が明らかにした実験結果をまとめ、どのような動作が制限を受けるのか、またその解決法などを議論してみたい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
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