GaN系面発光レーザ用多層膜反射鏡の基礎的検討
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概要
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最近、青色発光ダイオードの出現以来,GaN系の発光素子が注目を集めている.また,この素子の半導体レーザ化が期待されており,反射鏡の形成が必要となってきている.しかし,この素子はサファイア基板上に形成されており,へき開などによる反射鏡の形成は困難である.一方面発光レーザは,成長した結晶の表裏面に反射鏡を設け,基板と垂直方向に光を出射する構造のため,高密度2次元アレー状に集積でき,短い共振器長により安定した単一モード発振が得られるなどの特徴がある.このように面発光レーザは,基板の表裏面に反射鏡を持つ構造なので,反射鏡の形成が簡単にできる.そこで,これまで考えられてきた誘電体多層膜反射鏡や半導体多層膜反射鏡や複合反射鏡などの手法を使って,この波長にあった設計を行ったので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
坂口 孝浩
東京工業大学精密工学研究所
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
本田 徹
東京工業大学精密工学研究所,工学部
-
勝部 敦史
東京工業大学精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学 精密工学研究所
-
坂口 孝浩
東京工業大学
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