有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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有機金属気相成長(MOVPE)によって(0001)サファイア基板上に単層GaN膜を成長した.この単層GaN膜を使用してユニポーラ構造のショットキー型紫外発光ダイオード(ST-UV LED)の製作を行った.ST-LEDに逆方向バイアス,パルス波を印加したときサファイア基板側からGaNのバンド端付近の発光(NBE)が得られた.また,デバイス駆動中の発熱について検討するために高温領域のフォトルミネッセンス(PL)測定を行った.NBEのピークエネルギーは温度の上昇とともに低エネルギー側へシフトした.ST-LEDは駆動中に発生する発熱によってバンドギャップナローイングが生じていると考えられる.また,ST-LEDがディスプレイ応用のための集積化に適しているかを検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
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