江川 慎一 | 工学院大学工学部電子工学科

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概要

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• 本田 徹

  工学院大学大学院工学研究科

• 本田 徹

  工学院大学工学部

• 江川 慎一

  工学院大学工学部電子工学科

• 本田 徹

  工学院大学

• 馬場 太一

  工学院大学工学部電子工学科

• 川西 英雄

  工学院大学電子工学科

• 川西 英雄

  工学院大 工

• 川西 英雄

  工学院大学・工学部

• 杉本 浩一

  工学院大学工学部電子工学科

• 小林 俊章

  工学院大学工学部電子工学科

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  工学院大学工学部電子工学科

• 澤田 勝

  工学院大学工学部電子工学科

• 新井 雅俊

  工学院大学工学部電子工学科

• 平山 航史

  工学院大学工学部電子工学科

• 蓮沼 範行

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 長谷川 文夫

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学 工学部 電子工学科

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著作論文

• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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