MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
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概要
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面発光レーザの将来の応用として大容量光通信,光インタコネクションなどが期待される.面発光レーザを大規模2次元アレーで駆動させる場合,各素子の低消費電力化が重要となる.また面発光レーザの量産性も必要となってくる.今回,我々はMOCVD法により製作した面発光レーザの低しきい値動作の実現と熟特性についての評価を行ったので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
林 幸夫
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密光学研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密工学研究所
-
大軒 紀之
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
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