松井 康尚 | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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概要
関連著者
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宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
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小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
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松浦 哲也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
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太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
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小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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小山 二三夫
東京工業大学
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宮本 智之
東京工業大学
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松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
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古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
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太田 征孝
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
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松井 康尚
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
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古旗 達也
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
著作論文
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)