MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討
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概要
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GaN結晶成長における成長速度及び結晶構造に対する水素の効果を調べるため、水素・窒素混合プラズマを用いたGaN成長を試みた。水素を添加することにより、GaN成長速度が著しく増加したことがわかった。発光分光分析及び四重極質量分析によりNH_xの存在を確認し、これらが成長速度の増加に寄与しているものと考えられる。SEM及びTEMによりGaNの結晶構造を評価した結果、水素を添加することにより柱状構造が支配的になることがわかった。Ga-polarity及びN-polarityの存在と、これによる成長速度の差を仮定することにより、観察した実験結果をうまく説明することができる。これを検証するためN-polarityを持つと考えられるGaN template上の、GaN成長を試みた。その結果N-polarity上では成長速度は減少したことがわかった。また断面TEM観察からは柱状構造は見られなかった。水素・窒素混合プラズマを用いたGaNの成長モードはGaNの極性に強く依存していることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-22
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
寺口 信明
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
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