サファイアc面上にECR-MBE成長したGaNの構造変化
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概要
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サファイアc面上にECR-MBE法を用いてGaNの結晶成長を行った。サファイアc面上のGaNは安定相である六方晶で成長しやすいことはよく知られている。しかし、基板温度、V/III比などの成長条件を変化させることにより準安定相の立方晶で成長することも可能である。本成長法において、イオン照射ダメージ除去のために印加する基板バイアスによっても結晶構造の変化が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
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千葉 恭男
立命館大学理工学部
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
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冨成 達也
立命館大学理工学部光工学科
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清水 有威
立命館大学大学院理工学研究科
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北東 慎吾
立命館大学大学院理工学研究科
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名西 徳之
立命館大学大学院理工学研究科
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清水 有威
立命館大学理工学部
-
北東 慎吾
立命館大学理工
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