サファイア上にECR-MBE成長したGaN結晶の構造制御の検討
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概要
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GaN epilayers were grown by ECR-MBE on sapphire(0001)This method enables the low temperature growth. On the other hand, cubic GaN tends to grow with the hexagonal GaN at low growth temperature. It is reported that V/III ratio has the influence on this behavior. In this report, we show for the first time that electric bias condition to the substrate also affects. structural control of GaN. The existence of cubic GaN on sapphire is recognized by RHEED,PL,and XRD.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
門田 道雄
(株)村田製作所
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部
-
千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
-
冨成 達也
立命館大学理工学部光工学科
-
清水 有威
立命館大学大学院理工学研究科
-
北東 慎吾
立命館大学大学院理工学研究科
-
篠田 明典
(株)村田製作所
-
清水 有威
立命館大学理工学部
-
北東 慎吾
立命館大学理工
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