ECR スパッタ装置を用いて成膜した ZnO 膜の圧電的特性
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概要
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ECR(Electron Cycroton Resonance)スパッタ装置を用いてZnO圧電膜の成膜を試みた.この装置を用いれば,低温(基板加熱なし〜200℃),低ガス圧(〜10^<-4>Torr)の条件のもとで,IDT(くし型電極)/ガラス基板上に,10^<10>〜10^<11>Ωcmの比抵抗,標準偏差σ=0.19°のc軸配向をもつZnO圧電膜が成膜できることがわかった.このZnO膜を用いたSAW特性は,従来型のスパッタにより成膜されたZnO膜によるSAW特性と比べて,良好なSAW特性(特に高周波帯において顕著)と,良好な電気機械結合係数(シングル電極においてFEMによる理論値の94%)を示すことが明らかになった.また基板加熱なしで成膜されたZnO膜において,700MHzのレイリーSAW基本波を初めて励振することができた.
- 1993-02-25
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