ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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我々は集束イオンビーム(Focused Ion Beam)を用いて、Ga極性GaNテンプレートにナノ加工を施し、ECR-MBE法を用いてInN結晶成長を行うことで、InNナノドットの配列・サイズを制御できることを見出したので報告する。FIBを用いて加工を行うことで、数分間で約25万個のナノホールをマスクレスで格子状に配列することが可能となる。また成長温度、ホール間隔を変化させることでドットサイズが変化すること、成長後のアニールによりドットの形状が変化し均一になることを確認した。最適条件で作製したナノドットはすべてのホールに1つずつ形成され、サイズ均一性の高いドットを作製・配列することに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
山口 泰平
立命館大学理工学部
-
名西 博之
立命館大学理工学部
-
名西 之
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部電子光情報工学科
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