RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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InNは近年、バンドギャップの値が〜0.7eVと見直され、高速・高周波電子デバイス用材料としてだけでなく、光通信用発光デバイス、高効率太陽電池などへの応用が期待されている材料である。本論文では、InN表面の熱的安定性に着目し、様々な酸化処理による影響を検討した。酸化処理として、大気中での自然酸化、酸素雰囲気中での熱酸化、大気中での熱酸化を行い、酸化前後でのInNの表面化学結合状態、表面モフォロジー、結晶構造、光学的特性における変化を検討した。その結果、酸素雰囲気中で熱酸化処理を行った場合にはInN表面のみ酸化が進行するが、大気中熱酸化処理を施した場合には、InNがほぼ完全にIn_2O_3へと変化することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 惠之
立命館大学
-
早川 祐矢
立命館大学理工学部
-
米田 亮太郎
立命館大学理工学部
-
萬 謙太郎
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
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