RF-MBE法による高InNモル分率InGaNの成長とその構造および発光特性の評価

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概要

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• 立命館大学の論文

著者

• 直井 弘之

  立命館大学coe推進機構

• 武藤 大祐

  立命館大学理工学部

• 黒内 正仁

  立命館大学理工学部

• 荒木 努

  立命館大学理工学部

• 羅 〓石

  立命館大学coe推進機構

• 高堂 真也

  立命館大学理工学部

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