RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長(窒化物半導体結晶)
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概要
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We report the growth of InN films on Si (100) substrates by RF-MBE. Hexagonal InN films with no cubic InN phase were obtained on Si (100) substrates. The InN films had highly c-axis orientation. In regard to the a-axis orientation however, they had the double rotation domain structure.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
森岡 千晴
立命館大学理工学部
-
水尾 和洋
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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