RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
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概要
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GaNの成長において、水素を添加した場合、成長速度の増大や表面平坦性の改善などの効果が確認されているが、水素の添加方法(水素の状態)あるいは成長層の表面極性によって異なる結果が得られている。本研究では、(0001)6H-SiC基板のSi面を用いることによって、単一のGa極性を有するGaN表面を形成し、その上に水素/窒素混合プラズマを用いたRF-MBE法によって成長したGaN層の結晶性・光学的特性がどのように変化するかを調べた。その結果、水素添加によって窒素リッチな条件で成長した膜と同様の構造を取ることから、水素添加によって実効的な窒素供給量が増大することが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
加野 賢二
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
シャープ(株)中央研究所
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
金澤 紘之
立命館大学理工学部光工学科
-
寺口 信明
シャープ(株)技術本部基盤技術研究所
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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