RF-MBE法InN成長における初期成長過程に関する検討
スポンサーリンク
概要
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
関連論文
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlGaN/GaN HFETにおけるGaN層リーク電流とルミネッセンス強度との相関
- 26aB06 RF-MBE法による高In組成InGaN成長におけるInNテンプレートの効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
- RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長(窒化物半導体結晶)
- ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶成長と特性評価(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- 窒化物半導体の新展開(紫外発光材料の現状と将来)
- 窒化物半導体の新展開 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- RF-MBE成長したInN/(0001)Sapphireの極微構造観察 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_Nの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBE法を用いたSi基板上単結晶InN結晶成長とその評価
- RF-MBE法InN成長における初期成長過程に関する検討
- RF-MBE法による高品質厚膜InN成長のための低温中間層導入に関する検討
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- RF-MBE成長InN膜の表面構造と電気的特性
- シリコンカーバイドおよび関連材料に関する国際会議2007報告
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 (電子部品・材料)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 (電子デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InNおよびInGaNの結晶成長と構造および特性の評価"
- ECR-MBE法を用いた(001)ルチル型TiO_2基板上立方晶GaN成長 : エピキタシャル成長II
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 01aB04 MBE法による窒化β-Ga_2O_3基板上への六方晶GaN成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- RF-MBEによるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- ECR-MBE法を用いたパターニング基板上多結晶GaN成長の検討 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法による高InNモル分率InGaNの成長とその構造および発光特性の評価
- SiC基板上GaNのエッチングによる転位密度評価 : エピキタシャル成長IV
- サファイア基板上InN成長での回転ドメインの存在 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討
- MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討
- スプライン曲線を用いた移動体の自動誘導
- MBE成長InN薄膜の透過電子顕微鏡観察(窒化物半導体結晶)
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 26aB07 ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶InN成長(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- InNの光学的特性の結晶品質依存性 : InNの真のバンドギャップエネルギーに関する考察
- InNテンプレートを用いた高In組成InGaNの作成と評価
- RF-MBEによる高In組成InGaNの結晶成長とその評価
- 窒化物半導体の新展開 (特集/ナノサイエンスの応用と展望)
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法により成長したGaNナノコラムの形態変化に対する水素の効果
- 窒化石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶成長と発光特性
- MBE法による配列制御InNナノコラム成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- PS-013-5 下部直腸肛門管癌に対する鼠径リンパ節郭清術の治療成績(PS-013 大腸 リンパ節郭清,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-002-1 高齢者食道癌(70歳以上)の手術成績(PS-002 食道 悪性-1,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-061-7 胸部食道癌切除例における臨床病理学的因子および治療成績における性差(PS-061 食道 悪性-2,第112回日本外科学会定期学術集会)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)