ECR-MBE法を用いたパターニング基板上多結晶GaN成長の検討 : エピキタシャル成長II
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概要
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Polycrystalline GaN layers were grown on a patterning silica glass substrate by ECR'MBE. Photolithography technique and RIE were used for the patterning process. Although improvement of a-axis orientation of GaN was not confirmed by RHEED, a large number of oriented grains lined up at the side of the pattern were observed by SEM.
- 2002-07-01
著者
-
北村 健
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
間宮 恒
立命館大学理工学部
-
山下 直樹
立命館大学理工学部
-
上野 朝隆
立命館大学理工学部
-
山田 良
立命館大学理工学部
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