ZnO/Si基板上および石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶構造と発光特性
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概要
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ECR-MBE法を用いてZnO/Si基板上及び石英ガラス基板上にGaN成長を行った。両基板上GaNはc軸配向した多結晶に成長し、多結晶GaNからは六方晶GaNのバンド端付近からの発光と思われるフォトルミネッセンス(PL)ピークを観測した。また多結晶GaNからのPL発光強度は本研究室で成長させたサファイアc面基板上GaNからの発光強度よりも強い値を示した。これらの多結晶GaNの構造評価を行い、その構造と発光特性との関係を検討した。その結果c軸配向性が発光強度に強く影響を及ぼすことを明らかにした。
- 1998-11-06
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