RF-MBE成長したInN/(0001)Sapphireの極微構造観察 : エピキタシャル成長II
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概要
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Microstructure of InN films grown on (0001) sapphire substrates by RF-MBE was observed using transmission electron microscopy. It was confirmed that InN grown directly on sapphire had mainly two types of epitaxial relationship with sapphire. On the other hand, InN grown with nitridation was found to have one epitaxial relationship, but showed grain structure with c-axis orientation distribution at initial growth stage.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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