RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
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概要
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我々は、RF-MBE法によってGaGdNおよびAlGdN混晶半導体の成長に初めて成功した。混晶から求めた準安定状態のウルツ鉱構造GdNの(歪を受けた状態での)a軸およびc軸の格子定数は、それぞれ0.348nm、0.549nmと見積られた。Ga_<0.94>Gd_<0.06>Nの室温におけるCLのバンド端発光波長は、370nmとなっており、GaNの363nmよりも大きな値となっていた。また645nm付近にGd^<3+>イオンに起因する発光も確認された。AlGdNのCL測定では、317nmに強くて鋭い発光が観察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-04
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
鈴木 彰
シャープ(株)中央研究所
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
寺口 信明
シャープ(株)技術本部基盤技術研究所
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
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