28p-G-19 CVD成長立方晶SiC中の残留キャリヤのESRによる検討(1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1987-09-16
著者
-
赤木 与志郎
シャープ(株)基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ(株)中央研究所
-
中島 重夫
シャープ 中研
-
中島 重夫
シャープ(株) 中央研究所
-
中嶋 義晴
シャープ(株) 中央研究所
-
中島 重夫
シャープ
-
赤木 与志郎
シャープ(株) 技術本部 材料解析センター
-
古川 勝紀
シャープ(株)技術本部
-
植本 敦子
シャープ(株)技術本部
-
中嶋 義晴
シャープ (株) 技術本部
-
中嶋 義晴
シャープ(株) 技術本部 材料解析センター
関連論文
- 量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイスシミュレーション
- MBEによるZnSのホモエピタキシャル成長 : エピタキシーII
- 温度差等温成長法によるZnSバルク単結晶の成長 : エピタキシーII
- RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- ハロゲン輸送減圧CVD法によるZnS : Mn薄膜EL素子の経時変化機構とその制御(情報ディスプレイ研究会)(波形等化技術)
- ハロゲン輸送減圧CVD法によるZnS : Mn薄膜EL素子の経時変化機構とその制御
- 11)ハロゲン輸送減圧CVD法によるZnS : Mh薄膜EL素子(発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ研究会)
- ハロゲン輸送減圧CVD法によるZnS:Mn薄膜EL素子 : 発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ(発光型ディスプレイ特集)
- 23)プラズマCVD法によるSiON絶縁層を用いた薄膜EL素子(画像表示研究会)
- プラズマCVD法によるSiON絶縁層を用いた薄膜EL素子
- 量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイスシミュレーション
- 28p-G-19 CVD成長立方晶SiC中の残留キャリヤのESRによる検討(1)
- 28p-K-14 BiVO_4系焼結示温材料の発色機構とESR
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- SiC Growth(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- β-SiC単結晶薄膜のCVD成長 : 気相成長
- SiC熱酸化膜の生成機構 : 気相成長
- 電子顕微鏡による粘土鉱物研究の最近の進歩
- 電子顕微鏡により得られる情報とその解析
- S2 電子顕微鏡により得られる情報とその解析
- 30a-FA-9 Cubic ZnSの可視光誘起ESR(30a FA 格子欠陥)