赤木 与志郎 | シャープ(株) 技術本部 材料解析センター

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• 中嶋 義晴

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• 鳥谷部 達

  東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター

• 花尻 達郎

  東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター

• 新里 昌弘

  東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター

• 菅野 卓雄

  東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター

• 中島 重夫

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• 齊藤 昌

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• 齊藤 晶

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• 北川 雅彦

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• 古川 勝紀

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著作論文

• 量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイスシミュレーション
• 温度差等温成長法によるZnSバルク単結晶の成長 : エピタキシーII
• 量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイスシミュレーション
• 28p-G-19 CVD成長立方晶SiC中の残留キャリヤのESRによる検討(1)
• 28p-K-14 BiVO_4系焼結示温材料の発色機構とESR
• 30a-FA-9 Cubic ZnSの可視光誘起ESR(30a FA 格子欠陥)

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