RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
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概要
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InNは3次元的に成長しやすく良好な物性を得ることが難しい。InNを2次元的に成長するための成長初期過程について、検討を進めた。その検討結果を踏まえて、RF-MBE法により低温成長したInN上に550℃でInNの成長を行った。成長層の表面モフォロジーや電気的特性について、成長条件との関連に重点を置いて検討した。その結果、Inのビーム量と窒素流量一定の条件では、RFプラズマパワー240Wで成長したInN膜が、表面及び断面構造ともに優れていることがわかった。また同様に電気的特性も向上することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
山口 智広
立命館大学総合理工学研究機構
-
齋藤 義樹
立命館大学理工学部
-
斎藤 義樹
立命館大学理工学部
-
寺口 信明
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
鈴木 彰
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
荒木 務
立命館大学理工学部光工学科
-
寺口 信明
シャープ基盤技術研究所
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
山口 智広
立命館大学r-giro推進機構
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