寺口 信明 | シャープ株式会社基盤技術研究所

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概要

• 同名の論文著者
• シャープ株式会社基盤技術研究所の論文著者

関連著者

• 鈴木 彰

  立命館大学 総合理工学研究機構

• 寺口 信明

  シャープ株式会社基盤技術研究所

• 鈴木 彰

  シャープ株式会社基盤技術研究所

• 寺口 信明

  シャープ基盤技術研究所

• 鈴木 彰

  (株)ダイフク

• 荒木 努

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学

• 山口 智広

  立命館大学総合理工学研究機構

• 齋藤 義樹

  立命館大学理工学部

• 斎藤 義樹

  立命館大学理工学部

• 山口 智広

  立命館大学r-giro推進機構

• 荒木 努

  立命館大学理工学部

• 堀 正輝

  立命館大学理工学部

• 荒木 務

  立命館大学理工学部光工学科

• 千葉 恭男

  立命館大学理工学部

• 千葉 恭男

  立命館大学理工学部光工学科

• 名西 博之

  立命館大学理工学部

• 村松 智

  立命館大学理工学部

• 世古 明義

  立命館大学理工学部

• 名西 穗之

  立命館大学理工学部光工学科

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著作論文

• RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
• SiC基板上GaNのエッチングによる転位密度評価 : エピキタシャル成長IV
• RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
• MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討
• MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討

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