AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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AlGaN/GaN HEMTのゲートリークについて調べた。Al組成比xの増加と共にリーク電流が増大した。それと共に表面モフォロジーも悪化しており、これらに相関があることが分かった。また、ノンドープAlGaN中のドナー濃度もxと共に増加したが、1×10^<18>cm^<-3>を大きく超えることは無く、AlGaN最表面の濃度は分からないが、これがゲートリークの主因とは考えにくい。局所高導電領域を考慮して逆方向特性のシミュレーションを行い、実験データにフィッティングさせることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
鈴木 彰
立命館大学 総合理工学研究機構
-
山田 朋幸
新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
新機能素子研究開発協会
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
山田 朋幸
(財)新機能素子研究開発協会
-
土屋 忠厳
(財)新機能素子研究開発協会
-
城川 潤二郎
(財)新機能素子研究開発協会
-
岩見 正之
(財)新機能素子研究開発協会
-
鈴木 彰
(財)新機能素子研究開発協会
-
名西 惠之
立命館大学
-
岩見 正之
新機能素子研究開発協会
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
鈴木 彰
(株)ダイフク
-
名西 之
立命館大学理工学部
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