山田 朋幸 | 新機能素子研究開発協会

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概要

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• 新機能素子研究開発協会の論文著者

関連著者

• 鈴木 彰

  立命館大学 総合理工学研究機構

• 山田 朋幸

  新機能素子研究開発協会

• 城川 潤二郎

  新機能素子研究開発協会

• 荒木 努

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学理工学部

• 土屋 忠厳

  (財)新機能素子研究開発協会

• 荒木 努

  立命館大学理工学部

• 鈴木 彰

  (株)ダイフク

• 名西 之

  立命館大学理工学部

• 檜木 啓宏

  立命館大学 理工学部

• 土屋 忠厳

  新機能素子研究開発協会

• 名西 惠之

  立命館大学

• 岩見 正之

  新機能素子研究開発協会

• 小坂 賢一

  立命館大学 理工学部

• 藤嶌 辰也

  立命館大学 理工学部

• 井上 薫

  新機能素子研究開発協会

• 神谷 慎一

  新機能素子研究開発協会

• 名西 〓之

  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学

• 荒木 努

  立命館大学理工学部電子光情報工学科

• 山田 朋幸

  (財)新機能素子研究開発協会

• 城川 潤二郎

  (財)新機能素子研究開発協会

• 岩見 正之

  (財)新機能素子研究開発協会

• 鈴木 彰

  (財)新機能素子研究開発協会

• 廣山 雄一

  新機能素子研究開発協会

• 名西 博之

  立命館大学理工学部

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著作論文

• マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
• AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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