Effects of Traps Formed by Threading Dislocations on Off-State Breakdown Characteristics in GaN Buffer Layer in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2008-01-25
著者
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
ARAKI Tsutomu
Department of Cardiology, Kanazawa Cardiovascular Hospital
-
NANISHI Yasushi
Department of Photonics, Ritsumeikan University
-
Nanishi Y
Ntt Opto-electronics Laboratories
-
Nanishi Yasushi
Department Of Photonics Faculty Of Science And Engineering Ritsumeikan University
-
Nanishi Yasushi
Technical Research Laboratory Kansai Paint Co. Ltd.
-
HINOKI Akihiro
Department of Photonics, Ritsumeikan University
-
KIKAWA Junjiroh
R&D Association for Future Electron Devices
-
YAMADA Tomoyuki
R&D Association for Future Electron Devices
-
TSUCHIYA Tadayoshi
R&D Association for Future Electron Devices
-
KAMIYA Shinichi
R&D Association for Future Electron Devices
-
KUROUCHI Masahito
R&D Association for Future Electron Devices
-
KOSAKA Kenichi
Department of Photonics, Ritsumeikan University
-
SUZUKI Akira
R&D Association for Future Electron Devices
-
Araki Tsutomu
Department Of Photonics Ritsumeikan University
-
Yamada Tomoyuki
R&d Association For Future Electron Devices
-
Araki Tsutomu
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Osaka University
-
Kosaka Kenichi
Department Of Photonics Ritsumeikan University
-
Hinoki Akihiro
Department Of Photonics Ritsumeikan University
-
Kamiya Shinichi
R&d Association For Future Electron Devices
-
Kikawa Junjiroh
R&d Association For Future Electron Devices
-
Kurouchi Masahito
R&d Association For Future Electron Devices
-
Tsuchiya Tadayoshi
R&d Association For Future Electron Devices
-
Suzuki Akira
R&d Association For Future Electron Devices
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