凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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RF-MBE法による凹凸加工InNテンプレート上InNの結晶成長の検討を行った。凹凸加工InNテンプレートは、10mol/lのKOH水溶液を用いて、平坦なN極性InNテンプレート表面に凹凸加工を施した。InNは凹凸加工InNテンプレート及び、凹凸加工を施していない平坦なInNテンプレート上に再成長させた。その結果、凹凸加工InNテンプレート上InNは、平坦なInNテンプレート上InNに比べて、結晶のツイスト揺らぎを大幅に改善することに成功した。また透過電子顕微鏡観察から、凹凸加工InNテンプレート上に成長したInN膜中の貫通転位は、凹凸加工InNテンプレートとInN再成長膜の界面でその伝搬が抑制されていることが明らかとなった。これらの結果から、凹凸加工InNテンプレート上にInNを再成長することにより、高品質なInNが得られることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
直井 弘之
立命館大学coe推進機構
-
荒木 努
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学理工学部
-
名西 惠之
立命館大学
-
武藤 大祐
立命館大学理工学部
-
黒内 正仁
立命館大学理工学部
-
荒木 努
立命館大学理工学部
-
羅 〓石
立命館大学coe推進機構
-
北川 幸雄
立命館大学理工学部
-
名西 之
立命館大学理工学部
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