ECR-MBE法によるLGO(LiGaO_2)基板上GaN成長初期過程の検討
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概要
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So far,there is no suitable substrate for GaN epitaxial growth with matched lattice constant and thermal expansion coefficient. LiGaO_2 has a lattice constant very close to GaN with only 0.9% mismatch. We investigated the initial stage of GaN/LiGaO_2 growth by ECR-MBE, and found different growth mode depending on LiGaO_2 surface polarity.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
名西 〓之
立命館大学 理工学部
-
名西 〓之
立命館大学
-
石井 隆生
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
宮澤 信太郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
岡田 誠
立命館大学
-
檜垣 幸弘
立命館大学
-
柳 隆之
立命館大学
-
宮澤 信太郎
早大
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