LEC GaAgにおける転位周辺の不均一現象 : II. LEC GaAgにおける偏析現象
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概要
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Dislocations in LEC-grown, semi-insulating GaAs are not only contibutable to variations of material parameters, but tonon-uniformity of FET performances. The paper highlights current understandings in relationship between dislocations and FET threshold voltage, and then discusses a close correlation between dislocations, native defects AsGa antisites and threshold voltage by means of defect reaction equilibrium around dislocations. Finally, a local segregation of point defects (local inhomogeneities) around dislocations is presented so as to explain overall the effects of point defects on device properties
- 日本結晶成長学会の論文
- 1986-10-15
著者
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