GaN薄膜成長用基板結晶LiGaO_2の育成と評価 : バルク成長II

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概要

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• We investigated surface atoms of LiGaO_2 (001) substrate with a single domain structure by CAICISS and found that the atoms of easily etched surface are oxygen and those of hardly etched one are metal(Li,Ga). This relationship is well explained by the surface bonding model of ZnO proposed by Mariano. GaN thin film grew only on the metal surface of LiGaO_2 (001) substrate.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1998-07-01

著者

• 林 茂樹

  島津製作所基盤技術研究所

• 向田 昌志

  Nttシステムエレクトロニクス研究所:(現)山形大

• 篠原 真

  島津製作所 表面・半導体機器部

• 西原 隆治

  島津製作所 表面・半導体機器部

• 石井 隆生

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 宮澤 信太郎

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 篠原 真

  島津製作所

• 宮澤 信太郎

  Nttシステムエレクトロニクス研究所:(現)ウシオ総研

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