西原 隆治 | 島津製作所 表面・半導体機器部
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概要
関連著者
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篠原 真
島津製作所 表面・半導体機器部
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西原 隆治
島津製作所 表面・半導体機器部
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篠原 真
島津製作所
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林 茂樹
島津製作所基盤技術研究所
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西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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石田 洋一
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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大谷 文彦
島津製作所基盤技術研究所
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鯉沼 秀臣
東京工業大学工業材料研究所
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鯉沼 秀臣
東工大工材研
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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石田 洋一
東京大学工学部
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向田 昌志
Nttシステムエレクトロニクス研究所:(現)山形大
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吉本 護
東京工業大学応用セラミックス研究所
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石井 隆生
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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宮澤 信太郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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鯉沼 秀臣
(独)科学技術振興機構 研究開発戦略センター
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鯉沼 秀臣
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石山 修
島津製作所基盤技術研究所
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西野 茂弘
京都工業繊維大学工芸学部
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更家 淳司
京都工業繊維大学工芸学部
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宮澤 信太郎
Nttシステムエレクトロニクス研究所:(現)ウシオ総研
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更家 淳司
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
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吉本 譲
東京工業大学応用セラミックス研究所
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吉本 護
東京工業大学
著作論文
- CAICISS(同軸型直衝突イオン散乱分光法)を用いた単結晶の最表面原子層制御
- GaN薄膜成長用基板結晶LiGaO_2の育成と評価 : バルク成長II
- CAICISSによる6H-Sic(0001)面の最表面原子層の決定