西野 茂弘 | 京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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概要
関連著者
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
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Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
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Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
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白藤 立
京都大学
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白藤 立
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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白藤 立
京大
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Hayashi Y
Ricoh Co. Ltd. Kanagawa Jpn
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陳 義
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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増田 泰一
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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陳 義
京都工芸繊維大学
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増田 泰一
京都工芸繊維大学
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中山 浩二
(株)シクスオン
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塩見 弘
(株)シクスオン
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加藤 正史
名古屋工業大学
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塩見 弘
シクスオン
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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篠原 真
島津製作所 表面・半導体機器部
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西原 隆治
島津製作所 表面・半導体機器部
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部
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古賀 瑞帆
京都工芸繊維大学工芸学部
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中神 優子
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
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西野 茂弘
京都工芸繊維大学工芸学部
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荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
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篠原 真
島津製作所
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三柳 洋一
(株)シクスオン
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高田 禎介
(株)シクスオン
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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荒井 英輔
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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石田 洋一
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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大谷 文彦
島津製作所基盤技術研究所
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庄司 晃
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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鯉沼 秀臣
東京工業大学工業材料研究所
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鯉沼 秀臣
東工大工材研
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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林 裕之
京都工芸繊維大学工芸学部
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林 茂樹
島津製作所基盤技術研究所
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石田 洋一
東京大学工学部
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吉本 護
東京工業大学応用セラミックス研究所
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渡辺 陽介
京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子情報工学専攻電子物性工学研究室
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一色 俊之
京都工芸繊維大
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塩尻 詢
京都工芸繊維大
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一色 俊之
京都工繊大 工芸
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西城 浩志
京都工芸繊維大学・工芸
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中田 崇
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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大城 裕介
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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奥井 陽一
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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大嶋 悟
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
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上田 啓介
京都工芸繊維大学工芸学部
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頭島 淳
京都工芸繊維大学工芸学部
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高橋 一正
京都工芸繊維大学工芸学部
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宮崎 康雄
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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澤田 真人
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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一色 俊之
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
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西城 浩志
京都工繊大 工芸
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鯉沼 秀臣
(独)科学技術振興機構 研究開発戦略センター
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鯉沼 秀臣
東京工業大学
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石山 修
島津製作所基盤技術研究所
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西野 茂弘
京都工業繊維大学工芸学部
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更家 淳司
京都工業繊維大学工芸学部
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塩尻 詢
京工繊大 物理
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Jacob C.
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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塩尻 詢
国際電子顕微鏡学会連合
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Jacob C
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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更家 淳司
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
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西城 浩志
京都工芸繊維大学工芸学部
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吉本 譲
東京工業大学応用セラミックス研究所
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吉本 護
東京工業大学
著作論文
- CAICISS(同軸型直衝突イオン散乱分光法)を用いた単結晶の最表面原子層制御
- カソードルミネッセンス顕微鏡によるSiC単結晶中の欠陥観察
- 直流プラズマ化学気相堆積法による配向カーボンナノチューブの低温成長
- 電子放出源のためのSiC被膜付き柱状Siの微細加工及びデバイス応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 直流プラズマ化学気相堆積法によるカーボンナノチューブの成長とその電界電子放出特性
- 低誘電率層間絶縁膜のプラズマ化学気相堆積
- HMDSO添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD
- Si(NCO)_4添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD
- テトライソシアネートシランを用いたSiO:F膜のプラズマCVD
- 高品質SiCバルク単結晶の成長
- 高品質SiCバルク単結晶の成長
- CAICISSによる6H-Sic(0001)面の最表面原子層の決定
- 常圧CVDによるHMDSを用いたSi基板上への3C-SiCエピタキシャル成長(半導体Si及び関連電子材料評価)
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- 表面波励起マイクロ波プラズマによる大面積基板への配向カーボンナノチューブの作製